| 主权项 |
1.一种光阻剂用高分子化合物,系包含以下述式(IA) (式中,R1、R2以及R3表示可为相同或不相同的氢原 子或甲基,m以及p分别表示0至2之整数,n表示0或1,在 此,从式中之羟基及主链延伸的羰氧基系分别经结 合于环之左端之2个碳原子之任一方) 所表示的至少1种单体单元者。 2.如申请专利范围第1项之光阻剂用高分子化合物, 其中包含以式(IA)表示的至少1种单体单元,及选自 下述式(IIa)至(IIg) (式中,R1表示氢原子或甲基、R6及R7表示可为相同 或不相同之碳数1至8之烃基、R8、R9以及R10表示可 为相同或不相同之氢原子、羟基或甲基,R11及R12表 示可为相同或不相同之氢原子、羟基或-COOR13基、 R13表示第三丁基、2-四氢喃基、2-四氢喃基或 2-氧杂七环基,R14表示甲基或乙基、R15及R16表示可 为相同或不相同之氢原子、羟基或氧代基,R17表示 于式中表示之与氧原子之结合部位具有三级碳原 子的烃基,R18、R19、R20、R21以及R22表示可为相同或 不相同的氢原子或甲基,R23表示第三丁基、2-四氢 喃基、2-四氢喃基或2-氧杂七环基,t表示1至3 之整数,u表示0或1) 中的至少1种单体单元。 3.如申请专利范围第1项或第2项之光阻剂用高分子 化合物,其中除式(IA)所表示的至少1种单体单元以 外,或除式(IA)所表示的至少1种单体单元及选自式( IIa)至(IIg)的至少1种单体单元以外,尚包含选自下 述式(IIIa)至(IIIh) (式中,R1表示氢原子或甲基、R24及R25表示可为相同 或不相同之氢原子、羟基或羧基、R26表示羟基、 氧代基或羧基,X1、X2以及X3表示可为相同或不相同 的-CH2-或-CO-O-,R27、R28以及R29表示可为相同或不相 同之氢原子或甲基,R30及R31表示可为相同或不相同 之氢原子或甲基,R32、R33、R34、R35以及R36表示可为 相同或不相同之氢原子或甲基,R37表示可具有氢原 子或取代基的碳数1至20之直链状、支链状、环状 或桥环状烃基,R38、R39、R40以及R41表示可为相同或 不相同之氢原子或甲基,R42表示氢原子、羟基、羟 甲基或羧基,v、w、x以及y分别表示0或1) 中的单体单元的至少1种单体单元。 4.如申请专利范围第1项或第2项之光阻剂用高分子 化合物,其中依费多斯(Fedors)方法的溶解度参数之 値,在19.5至24.5(J/cm3)1/2之范围。 5.如申请专利范围第3项之光阻剂用高分子化合物, 其中依费多斯(Fedors)方法的溶解度参数之値,在19.5 至24.5(J/cm3)1/2之范围。 6.一种光阻剂用树脂组成物,系至少包含申请专利 范围第1项至第5项之任一项之光阻剂用高分子化 合物和光酸发生剂者。 7.一种半导体之制造方法,系包括将如申请专利范 围第6项之光阻剂用树脂组成物涂布于基材或基板 上以形成光阻涂膜,并经过曝光及显像以形成图案 的过程者。 8.一种(甲基)丙烯酸酯衍生物,系以下述式(1A) (式中,R1、R2以及R3表示可为相同或不相同的氢原 子或甲基,m以及p分别表示0至2之整数;n表示0或1,又 ,式中之(甲基)丙烯醯氧基及羟基系经结合于环之 左端之2个碳原子之任一方) 所表示者。 9.一种(甲基)丙烯酸酯衍生物之制造法,其特征为: 使以下述式(4A) (式中,R2以及R3表示可为相同或不相同的氢原子或 甲基,m以及p分别表示0至2之整数,n表示0或1,在此, 式中之各羟基系经结合于环之左端之2个碳原子之 任一方) 所表示的环状醇,与(甲基)丙烯酸或其反应性衍生 物反应,以制得下述式(1A) (式中,R1表示氢原子或甲基,R2、R3、m、p、n为与前 述者同,又,式中之(甲基)丙烯醯氧基及羟基系经结 合于环之左端之2个碳原子之任一方) 所表示的化合物。 10.一种环状醇之制造法,其特征为:使以下述式(5A) (式中,R2以及R3表示可为相同或不相同的氢原子或 甲基,m以及p分别表示0至2之整数) 所表示的环氧化合物还原,以制得下述式(4a-1) (式中,R2、R3、m、p为与前述者同,又,式中之羟基系 经结合于环之左端之2个碳原子之任一方) 所表示的环状醇。 11.一种环状醇,系以下述式(4b-1) (式中,R2以及R3表示可为相同或不相同的氢原子或 甲基,m表示0至2之整数,又,式中之羟基系经结合于 环之左端之2个碳原子之任一方) 所表示者。 |
