| 主权项 |
1.一种半导体用粘着薄膜,系于支持薄膜之两面上 设有粘着剂层之三层构造之粘着薄膜,其粘着剂层 含有(A)玻璃转移温度为130~300℃,吸水率为3重量%以 下,渗出长度为2mm以下的耐热热塑性树脂,(B)环氧 树脂及(C)环氧树脂硬化剂之参酚系化合物而成。 2.一种半导体用粘着薄膜,系于支持薄膜之两面上 设有粘着剂层之三层构造之粘着薄膜,其粘着剂层 含有(A)玻璃转移温度为130~300℃之耐热热塑性树脂 ,(B)环氧树脂及(C)环氧树脂硬化剂之参酚系化合物 而成的半导体用粘着薄膜,前述三层构造之粘着薄 膜之吸水率为3重量%以下,渗出长度为2mm以下。 3.如申请专利范围第1项之半导体用粘着薄膜,其中 粘着剂层系含有耐热热塑性树脂(A)100重量份,环氧 树脂(B)1~100重量份及环氧树脂硬化剂(C)0.02~120重量 份而成。 4.如申请专利范围第1项之半导体用粘着薄膜,其中 耐热热塑性树脂(A)系聚醯亚胺树脂、聚醯胺醯亚 胺树脂、聚酯醯亚胺树脂、聚醚醯亚胺树脂或聚 醯胺树脂。 5.如申请专利范围第1项之半导体用粘着薄膜,其中 环氧树脂硬化剂(C)系以下述一般式(a) (式中,R1~R10系各自独立的表示氢、碳数1~10之烷基 、碳数5~10之环烷基、芳基或烃基,D表示四价之有 机基)表示的参酚化合物, 其中一般式(a)中之D为 6.如申请专利范围第5项之半导体用粘着薄膜,其中 一般式(a)中之R5系氢或碳数1~10之烷基。 7.如申请专利范围第6项之半导体用粘着薄膜,其中 一般式(a)中之≡D-R5系 8.如申请专利范围第1项之半导体用粘着薄膜,其中 支持薄膜系由聚醯亚胺、聚醯胺、聚、聚苯硫 醚、聚醚醚酮、聚芳香酯及聚碳酸酯而成之群体 选出的绝缘性耐热性树脂薄膜。 图式简单说明: 第1图为本发明之半导体用粘着薄膜之截面图。 第2图为已使用本发明之半导体用粘着薄膜之半导 体装置之截面图。 |
