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Eine Photodetektoranordnung (1) umfasst einen Halbleiterkörper (2) mit einem Substrat (2), einer ersten Schicht (11) an einer ersten Hauptfläche (10) des Halbleiterkörpers (1) und einer zweiten Schicht (21) an einer zweiten Hauptfläche (20) des Halbleiterkörpers (1). Die zweite Hauptfläche (20) ist zu der ersten Hauptfläche (10) entfernt. Ein erster und ein zweiter Messanschluss (24, 25) sind an der zweiten Hauptfläche (20) auf der zweiten Schicht (21) randseitig in voneinander entfernt liegenden Bereichen angeordnet und sind zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (21) von außerhalb des Halbleiterkörpers (1) ausgebildet. Ein erster und ein zweiter Transistor (45, 46) koppelt die zweite Schicht (21) mit dem ersten beziehungsweise dem zweiten Messanschluss (24, 25).
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