发明名称 |
一种自适应控制闪存接口读写速度的装置和方法 |
摘要 |
本发明提供的自适应控制闪存接口读写速度的装置和方法,通过对闪存的空白区读写数据,并判断是否出现读写错误现象,在读写操作未发生错误的情况下,缩短对闪存读写波形的建立时间和保持时间,直至出现读写错误,从而达到加快闪存的接口读写速度。这样,解决了现有技术中在缺乏配置工具的应用环境中难以方便地使用多种传输速度的闪存的问题。进一步地,由于读写操作是在读写速度超过最大值时出错,所以可以保证闪存快速读写得到充分发挥。 |
申请公布号 |
CN101067968A |
申请公布日期 |
2007.11.07 |
申请号 |
CN200710098914.6 |
申请日期 |
2007.04.29 |
申请人 |
北京中星微电子有限公司 |
发明人 |
张浩;李国新 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01);G11C29/00(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种自适应控制闪存接口读写速度的装置,其特征在于:所述的装置包括闪存单元、读写控制单元、读写操作检测单元、读写速度调节模块,其中所述闪存单元,具有可存储所述读写控制单元写入的数据的空白区;所述读写控制单元,用于根据来自所述读写速度调节模块的预设的或当前的读写速度,向所述闪存单元的空白区写入用户预设的数据,并在写操作完成后以相同的读写速度从所述闪存单元的空白区读取该数据,并将所读取的数据发送给所述读写操作检测单元;所述读写操作检测单元,用于检测读写操作是否出现错误,并将检测结果发送给读写控制单元;所述读写控制单元,还用于根据读写操作检测单元发送的检测结果,向所述读写速度调节模块发出调节当前的读写速度的控制指令,以在读写操作未出错时,控制所述读写速度调节模块加快当前的读写速度,直至读写操作出错;并在读写操作出错时,控制所述读写速度调节模块降低当前的读写速度,直至读写操作正确,从而获得调节后的对闪存的读写速度。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |