压电式合成射流器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种压电式合成射流器，包括硅基体、腔体、喷口、振动膜片和压电致动器，硅基体的下方是腔体，喷口位于腔体上方并与腔体贯通，振动膜片位于硅基体下表面，并在腔体的下方形成悬置薄膜，压电致动器位于振动膜片下表面，其特点是所述的压电致动器由压电材料，以及贴附于其上下表面的上电极和下电极构成。本发明公开的上述压电式合成射流器的制作方法，采用电化学腐蚀法，在腔体位置制备多孔硅层，最后释放多孔硅形成腔体，采用感应耦合等离子刻蚀形成喷口，采用低压化学气相沉积法沉积硅振动膜片，采用溶胶－凝胶法制备压电薄膜，由于腔体、喷口、振动膜片和压电薄膜在同一个硅基体上加工完成，提高了合成射流器可靠性和一致性。

主权项

1、一种压电式合成射流器，包括硅基体、腔体、喷口、振动膜片和压电致动器，硅基体的下方是腔体，位于腔体上方并与腔体贯通的是喷口，腔体和喷口贯穿硅基体，振动膜片位于硅基体的下表面，并在腔体的下方形成悬置薄膜，压电致动器位于振动膜片的下表面中央，其特征在于：所述的压电致动器由压电材料，以及贴附于其上下表面的上电极和下电极构成。