磁性存储装置

摘要

一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)，具有铁磁自由层，表现出第一相对较高的阻态和第二相对较低的阻态。为了写入磁性存储装置，驱动电流I_MTJ(125)通过MTJ。对于第一持续时间，该电流等于DC阈值电流，为在第一态和第二态之间转换多层结构所需的DC电流。这在自由层中产生出C形畴结构。对于第二持续时间，电流I_MTJ比DC阈值电流大。这引起MTJ转换态。引起该转换所需的电流小于使用均匀电流脉冲(127)所需的电流。

主权项

1.一种写入磁性存储装置的方法，该磁性存储装置包括第一(31；201)和第二(49；217)引脚，和所述引脚之间设置的磁阻多层结构(37；207；247；255)，所述多层结构呈现出相对较高的第一阻态和相对较低的第二阻态，该多层结构响应于给定持续时间和量值的脉冲可由第一态切换至第二态，该脉冲量值为一电流阈值，该电流阈值是切换该多层结构所需的最小电流值且其基于该脉冲的持续时间，所述方法包括：将小于阈值电流值的第一量值的电流通过该多层结构；和增加通过该多层结构的电流，从而通过小于所述阈值电流值的较高量值的第二电流。