发明名称 |
侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯 |
摘要 |
本发明公开了一种侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯;涉及一种光探测器。该管芯是在掺铁的半绝缘半导体InP衬底(1)上,通过有机金属化学汽相淀积技术,沿着垂直方向逐次生长缓冲层(2)、下光波导层(3)、光吸收层(4)、上光波导层(5)、光限制层(6)和接触层(7),通过刻蚀技术,使之形成孤岛状上、下两个台形部分;上台形部分包括下光波导层(3)、光吸收层(4)、上光波导层(5)、光限制层(6)和接触层(7),其水平面为(半椭圆-矩形-半椭圆)形状;下台形部分是缓冲层(2),为矩形形状。最后通过解理的办法,把连体管芯一分为二。该管芯具有结构简单、体积小、进光平面解理容易、芯区面积可微调、组装耦合方便、和共面波导连接兼容等特点。 |
申请公布号 |
CN100347865C |
申请公布日期 |
2007.11.07 |
申请号 |
CN200310111559.3 |
申请日期 |
2003.12.11 |
申请人 |
武汉电信器件有限公司 |
发明人 |
丁国庆 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01);H01L31/105(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01) |
代理机构 |
武汉宇晨专利事务所 |
代理人 |
黄瑞棠 |
主权项 |
1、一种侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯,其特征在于:在半绝缘InP衬底(1)上,依次为缓冲层(2)、下光波导层(3)、光吸收层(4)、上光波导层(5)、光限制层(6)和接触层(7);该管芯由上、下两个台形部分组成;上台形部分包括下光波导层(3)、光吸收层(4)、上光波导层(5)、光限制层(6)和接触层(7),其水平面为半椭圆-矩形-半椭圆形状;下台形部分是缓冲层(2),其水平面为矩形形状;其电极(8)和共面波导连线兼容;最后通过解理的办法,把连体式双管芯一分为二。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 |