| 发明名称 | 抛光方法及研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物，上述研磨液的pH为4至6.5，上述研磨液中的阴离子系界面活性剂的浓度为0.001重量％至0.15重量％。 | ||
| 申请公布号 | CN100347827C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN03800709.6 | 申请日期 | 2003.02.20 |
| 申请人 | 株式会社荏原制作所;花王株式会社 | 发明人 | 和田雄高;赤朝彦;佐佐木达也;萩原敏也 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1、一种抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物，上述研磨液的pH为4至6.5，上述研磨液中的阴离子系界面活性剂的浓度为0.001重量％至0.15重量％；上述阴离子界面活性剂包含具有由COO-基或SO3-基构成的亲水基的有机化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||