主权项 |
1.电能质量和无功补偿综合控制器,其特征在于:它是一种串并联的三相电能质量和无功补偿综合控制器,由测量和控制电路,串联可控硅,储能支路,逆变器,滤波支路,并联共补可控硅,并联共补电容器,并联分补可控硅及并联分补电容器构成:测量和控制电路,包含数据信号处理器,电源电压互感器,负载电压互感器,负载电流互感器,直流电压传感器和测量信号滤波电路,其中:数据信号处理器,即DSP;所述电源电压互感器的输入端与电源电压相连,所述电源电压互感器的输出端与测量信号滤波电路对应的输入端相连;所述负载电压互感器的输入端与负载电压相连,所述负载电压互感器的输出端与测量信号滤波电路对应的输入端相连;所述负载电流互感器的输入端与负载电流相连,所述负载电流互感器的输出端与测量信号滤波电路对应的输入端相连;所述直流电压传感器的输入端与直流电压相连,所述直流电压传感器的输出端与测量信号滤波电路对应的输入端相连;所述测量信号滤波电路的输出端与DSP对应的测量信号输入端相连;串联可控硅,每相由两个可控硅反并联构成,三相共有三组反并联可控硅,串联可控硅串接于三相电源与负载回路中,串联可控硅的控制端与所述DSP的串联可控硅控制信号输出端相连;储能支路,由储能蓄电池串接而成,三相由三组独立的储能支路构成,每相储能支路两端与该相逆变器直流侧两端相并连;逆变器,三相共有三组独立的逆变器,每相逆变器由四个绝缘门栅极晶闸管即IGBT组成H型全控桥式结构,所述的每相逆变器和该相储能支路相并联;各个绝缘门栅极晶闸管即IGBT的控制端与上述DSP的控制IGBT信号输出端相连;滤波支路,每相滤波支路由交流滤波电感和滤波电容组成,该滤波电感和滤波电容之间的连接点与该相串联可控硅和负载相连的那个接点相连;滤波电感与滤波电容的另一端分别与该相逆变器的输出端相连;并联共补可控硅,与下述并联共补电容器一起组成电容器共补电路,并联共补可控硅由3级或多至12级构成,每级各有两组反并联可控硅,两组反并联可控硅分别串接在和负载相连的A、C相与下述并联共补电容器之间,并联共补可控硅的控制端与上述DSP的控制并联共补可控硅的信号输出端相连;并联共补电容器,为三角形接法,其两端分别与上述并联共补可控硅的对应端相连;另一端直接与负载相连的B相相连;并联分补可控硅,与下述并联分补电容器一起组成电容器分补电路,并联分补可控硅由1级或多级构成,每级各有三组反并联可控硅,三组反并联可控硅串接在和负载相连的A、B、C三相与下述并联分补电容器之间,并联分补可控硅的控制端与上述DSP的控制并联分补可控硅的信号输出端相连;并联分补电容器,为星形即Y接法,其三端分别与上述并联分补可控硅的对应端相连,公共端与中性点相连。 |