发明名称 |
具有加热器的薄膜磁头、磁头万向组件、及磁盘驱动装置 |
摘要 |
本发明涉及一种具有加热器的薄膜磁头。该薄膜磁头包括:衬底;读磁头部件,具有屏蔽区域,形成在该衬底上;写磁头部件,具有磁极区域,相对于读磁头部件,形成在该衬底的相对侧;覆盖涂层,用于覆盖读磁头部件和写磁头部件,形成在该衬底上;加热器,至少在该读磁头部件或者写磁头部件的操作期间加热,形成在覆盖涂层内;以及隙缝区域,用于在屏蔽长度方向,分离屏蔽区域,由导热率比屏蔽区域的导热率低的低导热率材料构成。 |
申请公布号 |
CN100347745C |
申请公布日期 |
2007.11.07 |
申请号 |
CN200510078085.6 |
申请日期 |
2005.06.14 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
梅原刚;太田宪和;田上胜通;松隈裕树;大山信也;小出宗司;沟口义之;山田和秀 |
分类号 |
G11B5/31(2006.01);G11B5/60(2006.01);G11B5/02(2006.01);G11B21/21(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/31(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
康建忠 |
主权项 |
1、一种薄膜磁头,包括:衬底;读磁头部件,具有屏蔽区域,形成在该衬底上;写磁头部件,具有磁极区域,相对于读磁头部件,形成在该衬底的相对侧;覆盖涂层,用于覆盖读磁头部件和写磁头部件,形成在该衬底上;加热器,至少在该读磁头部件或者写磁头部件的操作期间加热,形成在覆盖涂层内;以及隙缝区域,用于在屏蔽长度方向,分离屏蔽区域,由导热率比屏蔽区域的导热率低的低导热率材料构成。 |
地址 |
日本东京都 |