微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法

摘要

本发明涉及一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，属辐射化学改性高分子材料工艺技术领域。本发明方法的主要特点是：首先选用金属膜为掩膜材料，用紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成微孔阵列结构的金属掩膜；将该掩膜覆盖于聚酯类高分子薄膜上，随后用高能电子束辐照裂解聚酯类高分子薄膜，然后在一定温度和时间下用重铬酸钾和浓硫酸的混合腐蚀液进行腐蚀，经洗涤干燥后，即得微孔阵列聚酯类高分子模板，其最小孔径可达10～20μm。本发明方法采用的电子加速器所产生电子束的辐照剂量为300～1200KGy；所用腐蚀液为：H₂SO₄7.0～10.0mol/l，K₂Cr₂O₇ 0.10～0.30mol/l的混合液；腐蚀蚀刻温度为70～90℃，时间为7～10小时。

主权项

1.一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：a.首先制备金属掩膜：用355nm的紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成具有微孔阵列结构的金属掩膜；b.将上述金属掩膜覆盖在聚酯类高分子薄膜上，并放在电子加速器产生的高能电子束下，以300～1200KGy的剂量进行辐照，对聚酯类高分子薄膜进行蚀刻；c.将辐照后的聚酯类高分子薄膜经酸洗、碱洗前处理后，浸入到腐蚀液中；腐蚀液为用去离子水配制的H2SO4和K2Cr2O7的混合溶液，H2SO4溶液的浓度为7.0～10.0mol/L，K2Cr2O7溶液的浓度为0.10～0.30mol/L；在腐蚀液中进行蚀刻的温度为70～90℃，控制蚀刻的时间为7～10小时；d.将上述腐蚀蚀刻好的聚酯类高分子薄膜样品用去离子水彻底清洗后放入干燥箱，干燥后即得图案排列规则、尺寸一致的微孔阵列聚酯类高分子模板。