半导体结构的形成方法及电阻

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法及电阻，特别涉及一种去耦合浅掺杂源/漏极区和袋状注入区的形成方法。上述方法包括：提供一半导体晶片，其包含多个主动区。于上述主动区中形成多个栅极结构。利用一N－浅掺杂源/漏极光罩，形成多个N－浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上。利用一N－袋状注入光罩，形成多个N－袋状注入区于上述半导体晶片上。利用一P－浅掺杂源/漏极光罩，形成多个P－浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上；以及利用一P－袋状注入光罩，形成多个P－袋状注入区于上述半导体晶片上。本发明所提供的半导体结构的形成方法及电阻，可以降低模拟MOS元件之间的失配，并提升其本征增益。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括下列步骤：提供一半导体晶片，其包含多个主动区；于该主动区中形成多个栅极结构；利用一N-浅掺杂源/漏极光罩，形成多个N-浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上；利用一N-袋状注入光罩，形成多个N-袋状注入区于该半导体晶片上，其中N-袋状注入区为p型，以及其中该N-浅掺杂源/漏极光罩与该N-袋状注入光罩为不同光罩；利用一P-浅掺杂源/漏极光罩，形成多个P-浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上；以及利用一P-袋状注入光罩，形成多个P-袋状注入区于该半导体晶片上，其中P-袋状注入区为n型，以及其中该P-浅掺杂源/漏极光罩与该P-袋状注入光罩为不同光罩。