| 发明名称 | 低温高硅炻瓷及其制作工艺 | ||
| 摘要 | 低温高硅炻瓷及其制作工艺，针对传统高硅炻瓷的膨胀系数与一些特殊艺术釉不匹配的问题，在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数。在原炻瓷组成的基础上，加入不同颗粒级别的石英，主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下：钠长石15～35％；高岭土25～40％；石英35～50％；白云石1～5％。采用普通炻瓷烧制工艺，其特征在于：烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101066862A | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN200710035134.7 | 申请日期 | 2007.06.14 |
| 申请人 | 湖南华联溢百利瓷业有限公司 | 发明人 | 曾友强 |
| 分类号 | C04B35/14(2006.01);C04B35/64(2006.01);C04B35/63(2006.01);C04B35/80(2006.01) | 主分类号 | C04B35/14(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、低温高硅炻瓷，其特征在于：在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数；主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下：钠长石15～35％；高岭土25～40％；石英35～50％；白云石1～5％。 | ||
| 地址 | 412200湖南省醴陵市陶瓷科技工业园B区 | ||