半导体批量加热组件

摘要

提供了在批量加热/晶片处理中使用的加热处理设备，其包括接收晶片舟皿的处理腔室；至少一个加热元件，包括衬底主体，配置该衬底主体形成用于至少一个加热区域的电加热电路并用由连续保护涂层包封；热反射体，其包括设置在加热元件上的热反射表面，并且加热元件具有用于以至少1℃每秒的斜率加热晶片舟皿中晶片。

主权项

1.一种用在加热多个晶片衬底到300-800℃的工艺温度中的批量处理设备，包括：具有内部的腔室，用于放置包含支撑晶片衬底的多个隔板的晶片舟皿；至少一个位于腔室外部的加热器，加热器具有内侧和外侧，内侧面向腔室并传输热能给腔室以加热包含在其中的晶片；至少一个设置在加热器外侧面上的挡热层，和至少一层设置在挡热层外侧的金属化隔离层；其中加热器具有至少一个在多个电路内图形化的电阻加热元件，该电路限定至少一个区域以独立控制上述至少一个区域的加热，图形化电阻加热元件的至少一部分涂有包括从由B、Al、Si、Ga、难熔硬金属、过渡金属和稀土金属、或其络合物和/或组合组成的组中选取的元素的氮化物、碳化物、氮碳化物或氮氧化物中至少之一的至少一层；具有NaZr2(PO4)3的NZP结构的高热稳定性磷酸锆；包含从由2a族、3a族和4a族元素组成的组中选出的至少一种元素的玻璃陶瓷组合物；BaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃；和SiO2和Y、Sc、La、Ce、Gd、Eu或Dy氧化物的混合物；其中用膨胀热等离子体(ETP)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积、离子等离子体沉积、金属有机化学气相沉积、金属有机气相外延法、溅射、电子束和等离子体喷射中的至少之一将涂层设置在图形化电阻加热元件上：其中以至少40℃/分钟的斜率将腔室加热到工艺温度。