具有选择性气体供应的选择性外延制程

摘要

在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和一第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一制程反应室内，并且将该基板暴露在一沉积气体下以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层。该沉积气体较佳地含有一硅来源和至少一第二元素来源，例如锗来源、碳来源或两者。之后，该方法更提供将该基板暴露在一蚀刻剂气体下，而使该多晶层以比该外延层快的速率蚀刻。该基板可连续并重复地暴露在该沉积和蚀刻气体下，以形成该含硅材料。在一实施例中，该沉积气体包含硅烷，而该蚀刻气体包含氯气和氮气。

主权项

1.一种在一基板表面上外延形成一含硅材料的方法，其至少包含：将具有一单晶表面和至少一第二表面的基板安置于一制程反应室内，该第二表面选自非晶表面、多晶表面及其组合物；使该基板暴露在一沉积气体中，以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层，其中该沉积气体含有一硅来源和至少一第二元素来源，其选自锗来源、碳来源或其组合物；其后将该基板暴露在一蚀刻气体中，以蚀刻该多晶层和该外延层，其中该多晶层是以比该外延层快的速率蚀刻；以及形成一沉积周期，其包含将该基板连续暴露在该沉积气体和该蚀刻剂气体中，以在其上形成一含硅材料。