| 发明名称 | 引线框架及其制造方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 在半导体器件中，由铜合金构成的引线框架防止在引线框架表面附近发生层离。通过将基体材料浸入强氧化剂溶液中，在基体材料上形成氧化铜层。该氧化铜层用作最外层，而且由非针状结晶体形式的氧化铜构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100347853C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN03127557.5 | 申请日期 | 2003.08.07 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 百合野孝弘 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01);H05K3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/495(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
| 主权项 | 1.一种引线框架，该引线框架包括：由铜合金构成的基体材料；以及通过使引线框架接触强氧化剂溶液在所述基体材料的表面上形成的氧化铜层，该氧化铜层用作最外层，并由一价铜和二价铜构成，其中一价铜作为主要成分，该氧化铜层的厚度为10至1000埃。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||