发明名称 制造半导体器件的方法
摘要 本发明给出半导体器件的制造方法,它能够快速剥离叠压在胶带上的极薄的芯片,而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与叠压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动,芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时,对胶带施加水平方向的张力。
申请公布号 CN100347845C 申请公布日期 2007.11.07
申请号 CN200410031904.7 申请日期 2004.03.31
申请人 株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司 发明人 和田隆;大録范行;牧浩
分类号 H01L21/78(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/68(2006.01);H01L21/52(2006.01) 主分类号 H01L21/78(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种制造半导体器件的方法,包括:第一步,将胶带迭压到主表面上形成了集成电路的半导体晶片的背表面上,之后通过切割将半导体晶片分成多个半导体芯片;以及第二步,向迭压了胶带的多个半导体芯片中要剥离的半导体芯片以及要剥离的半导体芯片之下的胶带选择性施加振动,以使要剥离的半导体芯片从胶带上剥离,其中振动频率设为一个1kHz到100kHz范围内的值,振动幅度设为一个从1μm到50μm范围内的值,并且其中振动为垂直于胶带表面的方向上的纵向振动。
地址 日本东京