大面积p－n结纳米硅线阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种属于纳米材料制备技术领域的纳米硅线阵列及其制备方法。其特征是纳米硅线阵列中的硅纳米线具有p-n结结构，所述制备方法为：配制氢氟酸和硝酸银溶液反应溶液；将经过清洗液超声清洗过的p-n结硅片浸入反应溶液的水热反应釜中并在30-60℃处理30-60分钟；冷却后取出硅片，把硅片表面疏松的银薄膜去掉后，经去离子水清洗和浸泡，自然晾干。在反应溶液中，也可加入硝酸镍。由于本制备方法条件简单，低温制备，因而成本低，节能，所制备的p-n结纳米硅线阵列具有典型的整流效应，在微电子和纳电子行业具有重要的应用前景。

主权项

1、一种制备大面积p-n结纳米硅线阵列的方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行：(1)配制反应溶液，反应溶液由氢氟酸和硝酸银溶液组成，其中氢氟酸浓度为2.5mol/L-10mol/L，硝酸银浓度为0.01mol/1-0.06mol/l；(2)将经过清洗液超声清洗过的单晶p-n结硅片浸入盛有上述配制的反应溶液的水热反应釜中，封釜；(3)将上述水热反应釜放入烘箱，在30-60℃处理30-60分钟；(4)取出水热反应釜在空气中自然冷却后，取出硅片，把硅片表面疏松的银薄膜去掉后，经去离子水清洗和浸泡，自然晾干。