发明名称 共源共栅放大电路、放大器、和共源共栅放大电路的方法
摘要 一种稳压共源共栅放大电路,包括:第一PMOS FET和第二PMOS FET,其串联连接在接收第一供电电压的第一端和输出端之间;第一NMOS FET和第二NMOS FET,其串联连接在输出端和接收第二供电电压的第二端之间;以及稳压电路。稳压电路基于第一PMOS FET的漏极的电压,将用于稳定在第一PMOS FET的漏极的电压的第一控制信号输出到第二PMOS FET的栅极,并基于第一NMOS FET的源极的电压,将用于稳定在第一NMOS FET的源极中电压变化的第二控制信号输出到第一NMOS FET的栅极。
申请公布号 CN101068106A 申请公布日期 2007.11.07
申请号 CN200710101068.9 申请日期 2007.04.26
申请人 三星电子株式会社 发明人 郑武京;金在辉;孔培瑄
分类号 H03F3/16(2006.01);G05F3/16(2006.01) 主分类号 H03F3/16(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 邸万奎
主权项 1.一种稳压共源共栅放大电路包括:第一PMOS FET和第二PMOS FET,串联连接在输出端和被配置为接收第一供电电压的第一端之间;第一NMOS FET和第二NMOS FET,串联连接在输出端和被配置为接收第二供电电压的第二端之间;以及稳压电路,其被配置为:基于第二PMOS FET的漏极的电压,将第一控制信号输出到第二PMOSFET的栅极,其中将第一控制信号配置为稳定在第一PMOS FET的漏极的电压;以及基于第一NMOS FET的源极的电压,将第二控制信号输出到第一NMOSFET的栅极,其中将第二控制信号配置为稳定在第一NMOS FET的源极的电压。
地址 韩国京畿道