金属氧化物薄膜及其制造方法

摘要

本发明提供一种形成主要由非晶质构成的金属氧化物膜后，作为后处理，在温度180℃以下，在高频电场中，暴露于低温等离子体中，从而制造结晶性的金属氧化物薄膜的方法；以及采用该方法制造的结晶性金属氧化物薄膜。根据该制造方法，不伴有积极的加热处理，可在低温下在基材上形成致密而均匀的结晶金属氧化物薄膜，因此即使对于耐热性比较低的基材，也不会损害基材的特性，能够形成所需特性的金属氧化物薄膜。

主权项

1.一种金属氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，通过使主要由非晶质构成的金属氧化物膜，在不进行基板加热的条件下，在温度180℃以下暴露于等离子体中，制造结晶性的金属氧化物薄膜，并且上述等离子体的发生条件是外加频率1kHz-300MHz、压力5Pa以上、输入功率300W以上。