| 发明名称 | 半导体基材构造及其加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体基材构造及其加工方法，方法包括：在基材上加工一穿透孔沟槽；在该穿透孔沟槽内填充高分子复合材料；对该基材表面进行研磨或喷沙；对该基材表面进行表面被覆材料的处理。该半导体基材构造包含有基材，具有穿透孔及沟槽；其中该穿透孔及沟槽内填充有高分子材料及复合材料。本发明具有高平整度及切割不易生毛边的优点，且不易变形，增加了产品封装的良率及品质，而使用发光二极管的芯片或一般IC集成电路芯片封装时，会易于达成电子芯片所需的封装需求，而且比公知的基材构造成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN100347837C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN200410070706.1 | 申请日期 | 2004.07.21 |
| 申请人 | 宏齐科技股份有限公司 | 发明人 | 汪秉龙;庄峰辉;黄惠燕 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01);H01L23/12(2006.01);H05K3/00(2006.01);H05K1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
| 主权项 | 1、一种半导体基材的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在基材上加工一穿透孔沟槽；步骤二、在该穿透孔沟槽内填充高分子复合材料；步骤三、对该基材表面进行研磨或喷沙；及步骤四、对该基材表面进行表面被覆材料的处理。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||