半导体器件及其制造方法

摘要

一种用于高成品率地制造半导体器件的方法，该半导体器件能够可靠地通过沟槽型的元件隔离进行元件隔离、并且可有效地防止邻接元件的电位对其它节点产生影响，该方法包括以下工序：在基板上形成第1层的工序；蚀刻第1层和基板以形成沟槽的工序；热氧化沟槽的内壁的工序；在包含沟槽内的基板上淀积该沟槽的沟槽宽度的1/2以上膜厚的第1导电膜的工序；利用CMP法去除第1层上的第1导电膜，仅在沟槽内残留第1导电膜的工序；各向异性蚀刻沟槽内的第1导电膜，调整该导电膜的高度使其比基板的表面高度低的工序；利用CVD法在第1导电膜上淀积绝缘膜以便将其埋入沟槽内的第1导电膜上部的工序；利用CMP法使绝缘膜平坦化的工序；以及去除第1层的工序。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，在半导体基板上形成有沟槽型的元件隔离，其特征在于，该制造方法包括：在上述基板上形成第1层的第1层形成工序；蚀刻上述第1层和基板以形成沟槽的沟槽形成工序；热氧化上述沟槽的内壁的热氧化工序；在包含上述沟槽内的上述半导体基板上淀积该沟槽的沟槽宽度的1/2以上膜厚的第1导电膜的导电膜淀积工序；利用CMP法去除上述第1层上的第1导电膜、并仅在上述沟槽内残留上述第1导电膜的导电膜去除工序；各向异性蚀刻上述沟槽内的上述第1导电膜，将该导电膜的高度调整得比上述基板的表面高度低的调整工序；利用CVD法在上述第1导电膜上淀积绝缘膜，并填埋上述沟槽内的上述第1导电膜的上部的绝缘膜淀积工序；利用CMP法对上述绝缘膜进行平坦化的平坦化工序；和去除上述第1层的去除工序。