发明名称 |
一种光感测元件 |
摘要 |
本发明公开一种光感测元件,该光感测元件包括一基板、一半导体层、一第一层间介电层、一第二层间介电层以及两个电极;半导体层位于基板上,并且包括第一掺杂区与第二掺杂区以及位于两个掺杂区之间的本征区;第一层间介电层形成于半导体层上方,并且包含一第一氧化物层及一第一氮化物层;第二层间介电层形成于第一间层介电层上方,并且包括一第二氧化物层及一第二氮化物层;两个电极设置于第二层间介电层上,并且分别连接至第一掺杂区及第二掺杂区。该光感测元件可降低光感测元件的暗电流并且增加其光灵敏度。 |
申请公布号 |
CN101068033A |
申请公布日期 |
2007.11.07 |
申请号 |
CN200710102545.3 |
申请日期 |
2007.05.14 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
翁健森;许建宙;赵志伟 |
分类号 |
H01L31/105(2006.01);H01L27/144(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/105(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
1.一种光感测元件,包括:一基板;一半导体层,设置于该基板上,包括一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的本征区;一第一层间介电层,形成于该半导体层上,该第一层间介电层包括一第一氧化物层以及一第一氮化物层;一第二层间介电层,形成于该第一层间介电层上,该第二层间介电层包括一第二氧化物层以及一第二氮化物层;以及两个电极,设置于该第二层间介电层上,并且分别连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |