| 发明名称 | P沟道能隙工程硅氧氮氧硅NAND闪存的编程与擦除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种P沟道存储元件的编程方法。存储元件包括源极、漏极和栅极。施加第一电压于栅极上导致富勒－诺丁汉(－FN)的空穴注入，因此使存储单元进入编程状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101067970A | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN200710102192.7 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);H01L27/118(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种P沟道闪速存储器单元的编程方法，所述存储器单元包括栅极、源极、漏极和在所述源极与所述漏极之间的沟道，包括下列步骤：(a)施加第一电压于所述栅极，以及(b)施加第二电压于所述源极或所述漏极，其中所述第二电压比所述第一电压还大，足以使得在所述沟道中产生负富勒-诺丁汉空穴注入，从而使所述单元进入编程状态。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||