| 发明名称 | 由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 通过将三甲硅烷基胺和氨进料至装有基材(112)的CVD反应室(11)中在基材(112)上生成氮化硅薄膜。在该过程中，氨气/三甲硅烷基胺气体流速比设定为至少为10的值，和/或热CVD反应在不高于600℃的温度下进行。通过还将氧源气体导入CVD反应室(11)中获得氮氧化硅。本发明所述方法避免了氯化铵的生成和/或对沉积薄膜质量有害的含碳污染物的混入。 | ||
| 申请公布号 | CN100347834C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN03822854.8 | 申请日期 | 2003.09.23 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | C·迪萨拉;J－M·吉拉尔;木村孝子;玉置直树;佐藤裕辅 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01);C23C16/34(2006.01);C23C16/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;黄革生 |
| 主权项 | 1.一种通过热化学气相沉积制造氮化硅薄膜的方法，该方法包括以下步骤：将三甲硅烷基胺气体和氨气进料至放有至少一个基材的化学气相沉积反应室中，通过使这两种气体在预先确定的温度和压力条件下进行反应在所述至少一个基材上生成氮化硅薄膜，其中加入所述反应室中的氨气与三甲硅烷基胺气体的流速比大于或等于10。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||