| 发明名称 | 金属容器结构的平面化 | ||
| 摘要 | 在绝缘材料内形成的开孔中提供导电材料。该过程包括：首先在至少一部分该开孔和该开孔外的至少一部分绝缘材料上形成导电材料。接着，含金属的填充材料在开孔内部并且也在该开孔外的绝缘材料上的至少一部分导电材料上形成。该含金属的填充材料至少部分地填充该开孔。然后，至少一部分该含金属的材料以及该开孔外的导电材料被移除。此后，该开孔内的至少一部分含金属的填充材料接着被移除。 | ||
| 申请公布号 | CN100347808C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN01816832.9 | 申请日期 | 2001.08.31 |
| 申请人 | 微米技术股份有限公司 | 发明人 | S·杨;J·M·德尔南 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种在开孔内提供导电材料的方法，其特征在于包括：在所述开孔内和所述开孔外的至少一部分绝缘材料上形成所述导电材料；在至少一部分所述导电材料上形成含金属的填充材料，从而使至少一些所述含金属的填充材料位于所述开孔中；移除所述开孔外的所述绝缘材料上的至少一部分所述导电材料；以及从所述开孔移除几乎所有所述含金属的填充材料。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||