磁性随机存取存储器设备及在其中切换存储状态的方法

摘要

一种在MRAM位单元上进行写入操作的新的方法，具有改进的切换选择性，利用频率接近自由层的铁磁共振频率的振动字写入电流，结合位线中的电流产生的磁场造成的所述频率的偏移，实现了较低的写入电流。该操作在常规的磁性随机存取存储器中实现，该存储器具有多个由字线和位线的网格交叉点形成的磁阻单元，其中网格中的单个单元可被选择，并可通过字线和位线中电流产生的磁场从一种磁性状态切换成另一种磁性状态。

主权项

1.一种磁性随机存取存储器设备，包括：具有第一共振频率的磁阻单元；与该磁阻单元电连接的第一电线；与该磁阻单元电连接的第二电线；与该第一电线耦合的第一电源，用于提供通过第一电线的电流以使该磁阻单元的共振频率偏移到第二共振频率；与第二电线耦合的交流电源，该交流电源产生一个电流，该电流具有等于上述偏移的共振频率的频率。