| 发明名称 | 在一个加工步骤中形成不同厚度的高质量氧化物层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于在一个加工步骤中在第一和第二半导体区形成不同厚度的高质量氧化物层的方法。所述方法包括以下步骤：a)用不同的掺杂物浓度掺杂第一和所述第二半导体区；以及b)在同一加工步骤中同时氧化第一和第二半导体区，氧化温度在500℃和700℃之间，最好在500℃和650℃之间。还提供了相应的器件。利用低温氧化结合重掺杂级得到预想不到的氧化速率的增长。 | ||
| 申请公布号 | CN100347833C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN03802891.3 | 申请日期 | 2003.01.20 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | J·J·G·P·卢;Y·波诺马雷;R·T·F·沙克 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L27/102(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1.一种用于在一个加工步骤中在第一半导体区域(28，36)和第二半导体区域(18)中形成不同厚度的高质量氧化物层(16，20，40，42)的方法，所述方法包括以下步骤：用不同的掺杂物浓度掺杂所述第一半导体区域(28，36)和第二半导体区域(18)；以及在同一加工步骤中同时氧化所述第一半导体区域(28，36)和第二半导体区(18)，氧化温度在500℃和700℃之间。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||