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经营范围
发明名称
Capacitor in ferroelectric semiconductor memory device and Method of fabricating the same
摘要
申请公布号
KR100772707(B1)
申请公布日期
2007.11.02
申请号
KR20010084133
申请日期
2001.12.24
申请人
发明人
分类号
H01L27/105
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
主权项
地址
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