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L'invention concerne les circuits intégrés pour applications en hyperfréquence, dans la gamme des longueurs d'onde millimétriques (fréquences de l'ordre de 50 GHz).Pour améliorer les performances des lignes de transmission hyperfréquence dans le circuit, on propose une structure de vias conducteurs entre une ligne de transmission (28) et une zone conductrice (16). Les vias sont formés dans des ouvertures (26) d'une couche de benzo-cyclo-butène (24) ; ces ouvertures sont plus grandes, à leur base, que les zones conductrices (16) ; la ligne de transmission (28) descend dans l'ouverture mais ne remonte pas sur les bords de l'ouverture. On minimise les capacités parasites avec le substrat à l'endroit du contact.
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