利用低能量电浆系统制造高介电常数电晶体闸极之方法及设备

摘要

本发明大致上是提供适以于基材上形成高品质之闸极介电层的方法与设备。实施例包含一方法，其中金属电浆处理制程是用来代替标准的氮化制程，以于基材上形成高介电常数(k)层。实施例更包含适以”植入”较低能量之金属离子的设备，以减少离子轰击对闸极介电层(如二氧化矽层)的破坏及避免金属原子与下面的矽结合。一般而言，此制程包括形成高k介电层、然后处理沉积之材料，以于闸极电极与高k介电材料之间形成良好界面。实施例还提供群集式工具，其系适以形成高k介电材料、终止高k介电材料的表面、实行预定的后处理步骤、以及形成闸极层。