半导体矽基板用热处理模具及其制作方法

摘要

本发明系提供一种可降低热处理半导体矽基板时所产生之滑动(结晶缺陷)之热处理模具及其制作方法。本发明之热处理模具，系于接触保持半导体矽基板之区域，形成已方石英化之氧化膜；或本发明之热处理模具，其特征在于：以热处理模具9a、与遮蔽板9b所构成之热处理模具9，该遮蔽板9b系可抑制起因于该方石英化之氧化膜所产生的粒子附着于半导体矽基板的直径大于该热处理模具者。此等之模具，系可藉由使方石英化促进剂导入于热处理模具的表面或表面附近，在1000~1380℃之温度范围内施予热处理后，进一步，反覆该促进剂之导入及热处理进行制作。可利用混入于模具洗净用之药液中的杂质作为方石英化促进剂。