对于具有增加选择闸宽度的快闪记忆体之半导体装置的制造

摘要

本发明使用现有微影技术来制造一种非挥发性记忆体装置，其具有具(例如)45-55 nm或更小之通道长度之记忆体元件。在一种方法中，将第一及第二光罩之图案转印至同一光阻层。第一光罩可具有以(例如)特征尺寸F隔开之具给定特征尺寸F之开口。第二光罩具有一开口，其经尺寸设定以产生所要之选择闸间间隙，诸如3F或5F。使用第三光罩在选择闸结构上方之第二光阻层中提供保护部分。最终结构具有以距离F隔开之宽度为F之记忆体元件，及以3F或5F隔开之宽度为3F之选择闸。在另一种方法中，将三个光罩之图案转印至各别光阻层以产生类似的最终结构。