发明名称 半导体装置之制造方法及半导体表面上之微型粗糙度之降低方法
摘要 依本发明系遮光以使半导体表面不接触光线,而以液体进行表面处理。于半导体表面之清洗、蚀刻、显影等湿制程之表面处理应用本发明,可降低表面微型粗度之增大,藉以提升半导体元件之电特性或产能。
申请公布号 TW200741851 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW096103652 申请日期 2007.02.01
申请人 国立大学法人 东北大学;财团法人国际科学振兴财团 发明人 大见忠弘;森永均
分类号 H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本