遮罩布局的形成方法及利用该方法所形成的布局

摘要

一种形成遮罩布局的方法系包括提供一初始布局，其中一第一多边形的斜向图案系被反覆地配置在相对于垂直轴方向的斜向方向上。修正该第一多边形之斜向图案之相对的边缘侧缘，因此在该水平方向上延伸的第二多边形系堆叠在该第一多边形之斜向图案之相对的边缘侧缘，藉以形成一阶梯形状的布局。在该水平轴方向上切割该多边形，藉以提供具有该修正布局的资料给一电子束曝光系统。该第一多边形的斜向图案系遵循6F2单元布局或者4F2单元布局来定义出一记忆体装置的作用区和装置隔离层。