发明名称 | 记忆体列解码器 | ||
摘要 | 一种记忆体列解码器,包括一第一空乏型NMOS电晶体,其具有一第二源/汲极耦接至一第一部分解码讯号,以及一闸极耦接至一第二部分解码讯号,一第一增强型PMOS电晶体,其具有一第二源/汲极耦接至该第二部分解码讯号,以及一闸极耦接至该第一空乏型NMOS电晶体之第一源/汲极,一第一及第二增强型NMOS电晶体,并联于该第一增强型PMOS电晶体之一第一源/汲极以及一第一参考电压之间,并分别具有一闸极耦接至该第一部分解码讯号以及一重置讯号。当该记忆体列解码器运作于非选取模式时,该第一增强型PMOS电晶体系具有较小之GIDL电流,因而耗损较低之电力。 | ||
申请公布号 | TW200741741 | 申请公布日期 | 2007.11.01 |
申请号 | TW095115240 | 申请日期 | 2006.04.28 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 李正昇 |
分类号 | G11C8/10(2006.01) | 主分类号 | G11C8/10(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |