发明名称 记忆体列解码器
摘要 一种记忆体列解码器,包括一第一空乏型NMOS电晶体,其具有一第二源/汲极耦接至一第一部分解码讯号,以及一闸极耦接至一第二部分解码讯号,一第一增强型PMOS电晶体,其具有一第二源/汲极耦接至该第二部分解码讯号,以及一闸极耦接至该第一空乏型NMOS电晶体之第一源/汲极,一第一及第二增强型NMOS电晶体,并联于该第一增强型PMOS电晶体之一第一源/汲极以及一第一参考电压之间,并分别具有一闸极耦接至该第一部分解码讯号以及一重置讯号。当该记忆体列解码器运作于非选取模式时,该第一增强型PMOS电晶体系具有较小之GIDL电流,因而耗损较低之电力。
申请公布号 TW200741741 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW095115240 申请日期 2006.04.28
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 李正昇
分类号 G11C8/10(2006.01) 主分类号 G11C8/10(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号