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发明名称
覆晶接合制程方法
摘要
本发明提供一种覆晶接合制程方法,其可以藉由刺穿晶片上的凸块表面与凸块表面上的氧化层,增加凸块表面氧化层与助焊剂沾附的面积,来增加清洁凸块的效果,防止因凸块表面氧化产生氧化层而导致的冷焊问题。
申请公布号
TW200742007
申请公布日期
2007.11.01
申请号
TW095115204
申请日期
2006.04.28
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
胡嘉杰;陈慧萍
分类号
H01L23/48(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
陈达仁
主权项
地址
高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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