发明名称 覆晶接合制程方法
摘要 本发明提供一种覆晶接合制程方法,其可以藉由刺穿晶片上的凸块表面与凸块表面上的氧化层,增加凸块表面氧化层与助焊剂沾附的面积,来增加清洁凸块的效果,防止因凸块表面氧化产生氧化层而导致的冷焊问题。
申请公布号 TW200742007 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW095115204 申请日期 2006.04.28
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 胡嘉杰;陈慧萍
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈达仁
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号