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一种用于一快速回复整流器结构的装置及方法。具体而言，该结构包括一具有一第一类型掺杂剂的基板。一以该第一类型掺杂剂轻度掺杂之第一磊晶层耦接至该基板。一第一金属层耦接至该第一磊晶层。复数个沟槽凹陷至该第一磊晶层中，其每一者耦接至该金属层。该设备亦包含复数个各以一第二类型掺杂剂掺杂的井，其中每一井形成于一对应沟槽下方且与之相邻，复数个氧化层形成于一对应沟槽之壁及一底部上。以该第一掺杂剂掺杂的复数个通道区域形成于两个对应井之间的该第一磊晶层内部。该复数个通道区域之每一者以该第一类型掺杂剂较该第一磊晶层更重度地掺杂。 |
