| 摘要 |
本发明揭示一种用于形成一半导体装置(30)之方法，其包括：提供一具有一搭接垫(24)之第一积体电路，且使用至少一个黏合层(42)将一第二积体电路附装至该第一积体电路(10)。该第二积体电路具有一电路间迹线(38)，该电路间迹线(38)具有一电路间迹线开口(40)。该方法进一步包括：形成一穿过该第二积体电路之开口(58)，该开口(58)延伸穿过该电路间迹线开口；于该开口(58)内该电路间迹线之曝露部分上形成一选择性障壁(52)；延伸该开口(58)穿过该至少一黏合层到达该搭接垫(24)；且用一导电填充材料(64)填充该开口(58)。该选择性障壁层(52)包含钴或镍中之至少一者，且该导电填充材料(64)电连接该电路间迹线(38)与该搭接垫(24)。 |
