| 摘要 |
本发明揭示一种用于磁性穿隧接面(MTJ)装置(46)与阵列之方法及设备，其包含具有相反之第一(36)及第二(36)强磁性电极及可变相对磁化方向的金属-绝缘体-金属(M-I-M)结构。该绝缘体系藉由沉积一可氧化材料(461)(如铝)在第一电极(36)上形成，例如在低于约摄氏35度之温度处压力0.03至10毫托尔下，将其自然氧化到达数千秒，接着以一远大于该初始自然氧化之速率进一步快速(如电浆)氧化。M-I-M结构之第二电极(38)系在此氧化物上形成。更均匀穿隧性质会产生。一第二可氧化材料层(463)系在初始自然氧化后及在快速氧化步骤前视需要地提供，在期间系实质上整体转变成绝缘氧化物。在使第二层快速氧化前视需要地提供一第二自然氧化循环。 |
