| 摘要 |
本案提出一半导体结构，例如：场效电晶体(FETs)及/或金属-氧化物-半导体电容(MOSCAPs)，其中，导电电极堆叠之功函数透过引进金属杂质于含金属材料层中而改变，而含金属材料层与导电电极共存于电极堆叠之中。金属杂质之选择取决于电极具有n型功函数还是p型功函数。本案亦提出一制造此半导体结构之方法。金属杂质之引进系透过下列方法实施：共沉积包含含金属材料与改变功函数之金属杂质之层，形成一金属杂质之层存在于含金属材料层之间之堆叠；或形成一包含金属杂质在含金属材料之上和/或之下之材料层，然后加热此结构以便将金属杂质引进至此含金属材料中。 |
