| 摘要 |
[课题]得到可各别降低在SOI层表面之测定区域10μm平方之粗糙度Rms及在SOI层与BOX层的界面之测定区域10μm平方的粗糙度Rms之SIMOX晶圆。[解决手段]在包含：于矽晶圆11内部形成含有高浓度的氧之第1离子注入层12的工程、与形成非结晶的第2离子注入层13之工程、与藉由将晶圆保持在含氧气氛中，1300℃以上未满矽融点的温度而将第1及第2离子注入层作为BOX层15的高温热处理工程之SIMOX晶圆之制造方法；将在第1离子注入层形成工程的第1剂量作为2×1017~3×1017atoms/cm2时，令第1注入能量为165~240keV，令在第2离子注入层形成工程的第2剂量为1×1014~1×1016atoms/cm2。 |
