半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明系一种半导体发光装置极其制造方法，其中，半导体发光装置系具有矽基板3，与由化合物半导体而成之主半导体范围4，在于矽基板3上，使主半导体范围4外延成长时，经由主半导体范围4之3族元素，热扩散于矽基板之时，于矽基板3，产生p型矽半导体层9，其p型矽半导体层9则作为过电压保护二极体的构成要素而加以使用，过电压保护二极体系对于依据主半导体范围4之发光二极体而言，并联地连接。