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经营范围
发明名称
具有凹陷通道电晶体之半导体元件
摘要
具有凹陷通道电晶体的半导体元件系包含一形成在半导体基板中的元件隔离结构以界定一个主动区域,该主动区域系具有一个凹陷区域在其侧壁的一个下方部分处;以及一个形成在该主动区域之下的半导体基板中的凹陷通道区域。一种用于制造该半导体元件的方法系包含在半导体基板中形成一元件隔离结构以形成一个主动区域,该主动区域系具有一个凹陷区域在其侧壁的一个下方部分处,一闸极绝缘膜系形成在包含该凹陷通道区域的半导体基板之上,以及一闸极电极系形成在该闸极绝缘膜之上以填满该凹陷通道区域。
申请公布号
TW200742045
申请公布日期
2007.11.01
申请号
TW095142216
申请日期
2006.11.15
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
郑星雄;李相敦
分类号
H01L27/12(2006.01);H01L21/70(2006.01);H01L29/76(2006.01)
主分类号
H01L27/12(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
韩国
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