具有整合萧特基二极体(Schottky diode)之高密度沟槽场效电晶体及其制造方法

摘要

一种单晶体整合沟槽式FET及萧特基二极体，其系包含一对结尾于第一导电型第一矽区的沟槽。两个第二导电型以第一导电型第二矽区隔开的本体区均位于该对沟槽之间。一第一导电型源极区位于各个本体区上方。一接触开孔在该对沟槽之间延伸成有低于该等源极区的深度。一互连层系填满该接触开孔以便电气接触该等源极区与该第二矽区。在该互连层与该第二矽区电气接触处，形成一萧特基接触。