源极与汲极之构成

摘要

为了构成主动源极与汲极，将一厚多晶矽或非晶矽层24沈积于闸极结构10上，该闸极结构10构成于绝缘层4上之薄半导体层6上。该半导体层6可能已经被轻掺杂于区域20中，从而在闸极结构10之下留下通道区域21。接着执行一退火步骤以使掺杂剂自该厚多晶矽或非晶矽层24扩散以构成经重掺杂之源极与汲极区域。