发明名称 | 感光二极体结构及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种制作感光二极体的方法,其方法包含有提供一基底,并形成掺杂区于基底中,另外,形成介电层、第一多晶矽层于基底上。并形成一开口以暴露出部分掺杂区的表面,然后,形成第二多晶矽层于第一多晶矽层上方和开口内。并且,图案化第二多晶矽层以形成导线,再图案化第一多晶矽层以形成闸极,最后形成源极/汲极。 | ||
申请公布号 | TW200742051 | 申请公布日期 | 2007.11.01 |
申请号 | TW095113938 | 申请日期 | 2006.04.19 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施俊吉;王铭义;陈俊伯 |
分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |