发明名称 感光二极体结构及其制作方法
摘要 本发明系提供一种制作感光二极体的方法,其方法包含有提供一基底,并形成掺杂区于基底中,另外,形成介电层、第一多晶矽层于基底上。并形成一开口以暴露出部分掺杂区的表面,然后,形成第二多晶矽层于第一多晶矽层上方和开口内。并且,图案化第二多晶矽层以形成导线,再图案化第一多晶矽层以形成闸极,最后形成源极/汲极。
申请公布号 TW200742051 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW095113938 申请日期 2006.04.19
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 施俊吉;王铭义;陈俊伯
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L21/8234(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号