发明名称 直接电镀铜于一非铜可镀层上之方法
摘要 一种半导体结构中形成内连导线的方法,包括形成一介电层于一基板上,形成一第一阻障层于介电层上,形成一第二阻障层于第一阻障层上,其中第二阻障层系选自于由钌、铂、钯、铑与铱所组成之群组,且其中第二阻障层的形成是操控使得于第二阻障层的氧主体浓度为20原子百分比或更少,以及形成形成一导电层于第二阻障层上。此方法更包含处理第二阻障层的步骤,以减少第二阻障层表面氧化物的含量。
申请公布号 TW200741965 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW096101220 申请日期 2007.01.12
申请人 万国商业机器公司 发明人 珊卓拉G 玛霍特拉;萧夏杨;哈里克亚 戴林恩伊;戴聪林;史蒂芬M 罗斯纳吉尔;奥斯卡 凡 德 史顿
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国