发明名称 |
直接电镀铜于一非铜可镀层上之方法 |
摘要 |
一种半导体结构中形成内连导线的方法,包括形成一介电层于一基板上,形成一第一阻障层于介电层上,形成一第二阻障层于第一阻障层上,其中第二阻障层系选自于由钌、铂、钯、铑与铱所组成之群组,且其中第二阻障层的形成是操控使得于第二阻障层的氧主体浓度为20原子百分比或更少,以及形成形成一导电层于第二阻障层上。此方法更包含处理第二阻障层的步骤,以减少第二阻障层表面氧化物的含量。 |
申请公布号 |
TW200741965 |
申请公布日期 |
2007.11.01 |
申请号 |
TW096101220 |
申请日期 |
2007.01.12 |
申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
珊卓拉G 玛霍特拉;萧夏杨;哈里克亚 戴林恩伊;戴聪林;史蒂芬M 罗斯纳吉尔;奥斯卡 凡 德 史顿 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
主权项 |
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地址 |
美国 |