| 摘要 |
本发明提供一种半导体记忆体单元的金属氧化物半导体(MOS)电容器及其制造方法，该电容器包含：一第一区域，其沿着所述半导体基板的一长度方向在该基板的一预定位置形成，而且该区域具有一预定的深度并填充一绝缘材料；一第二区域，其形成在所述第一区域的边缘并具有预定深度；一第三区域，其在距离所述第二区域的一预定距离处，通过沿着所述半导体基板的长度方向对矽进行蚀刻而形成并具有一预定的深度；一MOS电容器非传导性层，沿着所述第二和第三区域的内部侧面的表面并且沿着所述第二和第三区域之间的矽表面形成且具有一预定的厚度；一MOS电容器区域，沿着所述MOS电容器非传导性层而形成；以及一MOS电容器电极，在所述MOS电容器非传导性层上形成并沿着伸至所述MOS电容器区域。本发明所提供的MOS电容器在一第二沟道处形成一沟道式MOS电容器，该第二沟道与一沟道绝缘区域连接，从而可以增加用于储存电荷的电容，这些电荷是在一小范围内的一记忆体装置的电子信号。 |
