半导体装置

摘要

为求使CMOS电路的上升及下降动作速度相同，基于其载子迁移率的差异之考量，必须使p型MOS电晶体与n型MOS电晶体的面积相异。此面积的不平衡会妨碍半导体装置的集积度提高。本发明采取NMOS电晶体与PMOS电晶体在(100)面及(110)面两者具有通道区域的三维构造，并以两电晶体的通道区域及闸绝缘膜的面积互为相等的方式构成。藉此，使闸绝缘膜等的面积互为相等，同时能使闸容量亦为相等。再者，于基板上之集积度与知技术比较，能提高为2倍。